柵極上的噪聲電平
在有電噪聲的環境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發可控硅(晶閘管)內部的正反饋，則也會被觸發導通。
應用安裝時，首先要使柵極外的連線盡可能短。當連線不能很短時，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個1KΩ的電阻來降低其靈敏度，也可以再并聯一個100nf的電容，來濾掉高頻噪聲。

結構原件
可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優點。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電極。但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的，它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。雙向可控硅的規格、型號、外形以及電極引腳排列依生產廠家不同而有所不同，但其電極引腳多數是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時，電極引腳向下，面對標有字符的一面)。市場上常見的幾種塑封外形結構雙向可控硅的外形及電極引腳排列。

電流
⒈ 額定通態電流（IT）即大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
⒉反向重復峰值電壓（VRRM）或斷態重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。
⒊ 控制極觸發電流（IGT），俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。
4，在規定環境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。

主要廠家：INFINEON、，WESTCDOE ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，POSEICO，POWEREX等。
http://www.bjxxjx.com